齐纳击穿和雪崩失效的差异（雪崩击穿和齐纳击穿那个可以再用）
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二极管在什么情况下会被击穿?击穿后会怎样?
1、电击穿时二极管失去单向导电性。如果二极管没有因电击穿而引起过热，则单向导电性不一定会被永久破坏，在撤除外加电压后，其性能仍可恢复，否则二极管就损坏了。因而使用时应避免二极管外加的反向电压过高。
2、二极管的击穿有两种击穿：齐纳击穿：稳压二极管就是利用这种特性工作的。加上反向电压，在用电阻限流的条件下，二极管两端的击穿电压基本不变。如下图中的CD段（反向击穿区）。这个击穿是可恢复击穿。
3、二极管被击穿相当于短路，若是击穿后烧毁，就相当于开路。普通二极管击穿后不可以继续使用，主要是因二极管击穿后，PN极就被破坏了，并且这种破坏是不可逆的，只有更换一个相同型号的二极管，才可以保证电器正常使用。
4、二极管的击穿是指，当电压施加在二极管的p型和n型接口之间时，如果电压值超过了二极管的击穿电压，二极管就会突然导通。这种现象称为击穿。击穿电压是二极管特有的一个参数，其大小取决于二极管的类型和制造工艺。
雪崩和齐纳击穿有什么用
雪崩击穿：新产生的载流子在电场作用下撞出其他价电子，产生新的自由电子和空穴对。由于这种连锁反应，势垒层中载流子的数量急剧增加，流过PN结的电流急剧增加。这种碰撞电离导致的击穿称为雪崩击穿。
雪崩击穿和齐纳击穿是半导体PN结的两种不同的击穿机理。说明一下它们的相同点和不同点你就知道有什么用了。
雪崩击穿电压较高，大于6V，且具有正温度系数。由高浓度掺杂材料制成的PN结很窄，即使反向电压不高也容易在很窄的耗尽区形成很强的电场，将价电子直接从共价键中拉出来产生电子一空穴对，使反向电流急剧增加，称为齐纳击穿。
齐纳击穿：稳压二极管就是利用这种特性工作的。加上反向电压，在用电阻限流的条件下，二极管两端的击穿电压基本不变。如下图中的CD段（反向击穿区）。这个击穿是可恢复击穿。
二极管击穿的原因是什么?击穿后有何特征?
1、外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为电击穿。引起电击穿的临界电压称为二极管反向击穿电压。电击穿时二极管失去单向导电性。
2、二极管的击穿有两种击穿：齐纳击穿：稳压二极管就是利用这种特性工作的。加上反向电压，在用电阻限流的条件下，二极管两端的击穿电压基本不变。如下图中的CD段（反向击穿区）。这个击穿是可恢复击穿。
3、高反向电压 当反向电压增大到较大值时，外加电场加速电子漂移速度，电子漂移速度与共价键中的价电子发生碰撞，将价电子从共价键中逐出，形成一对新的电子空穴。新产生的电子空穴被电场加速，然后其他价电子被击出。
4、二极管被击穿相当于短路，若是击穿后烧毁，就相当于开路。普通二极管击穿后不可以继续使用，主要是因二极管击穿后，PN极就被破坏了，并且这种破坏是不可逆的，只有更换一个相同型号的二极管，才可以保证电器正常使用。
温度升高对雪崩击穿,齐纳击穿的影响
1、齐纳击穿温度升高，反向击穿电压降低；雪崩击穿温度升高，反向击穿电压升高。
2、温度升高导致雪崩击穿电压升高，即具有正温度系数。
3、雪崩击穿和齐纳击穿的作用：雪崩击穿的具体作用：材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。
问:齐纳击穿和雪崩击穿的区别?
1、两者的区别对于稳压管来说，主要是：电压低于5－6V的稳压管，齐纳击穿为主，稳压值的温度系数为负。电压高于5－6V的稳压管，雪崩击穿为主，稳压管的温度系数为正。
2、雪崩击穿电压较高，大于6V，且具有正温度系数。由高浓度掺杂材料制成的PN结很窄，即使反向电压不高也容易在很窄的耗尽区形成很强的电场，将价电子直接从共价键中拉出来产生电子一空穴对，使反向电流急剧增加，称为齐纳击穿。
3、\x0d\x0a热击穿与电击穿的不同：电击穿可逆，而热击穿不可逆。
4、雪崩击穿和齐纳击穿的作用：雪崩击穿的具体作用：材料掺杂浓度较低的PN结中，当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。这样通过空间电荷区的电子和空穴，就会在电场作用下，使获得的能量增大。
5、齐纳击穿与雪崩击穿只是其两种不同的表现形式而已，原理不赘述，课本上都有。回复楼下：别乱讲，只要限制电流与功耗，任何“击穿”都是可恢复的！实际上掺杂浓度决定了击穿类型。
6、有两种，雪崩击穿和齐纳击穿 雪崩击穿：当PN结反向电压增加时，空间电荷区中的电场随着增强。